2024-08-15 08:38

三星重金对抗SK海力士和台积电

3.0万

文章来源:半导体行业观察

来源:日经中文网


图片来源:由无界AI生成
图片来源:由无界AI生成


人工智能(AI)计算所需要的「高频宽存储器(HBM)」的市场正在快速扩大。韩国SK海力士领先,一直处于供不应求的状态。为了在预计传输速度提高4成的新一代产品领域守住阵地,SK海力士将与台积电(TSMC)进行合作。开发落后的韩国三星电子则以资金为武器尝试逆袭。


在7月25日的财报发布会上,SK海力士的首席财务官(CFO)金祐贤表示:「AI半导体的开发速度正在加快。这对于作为行业领导者的我们来说,是一个有利的环境」。

SK当天公布的2024年2季度(4月~6月)销售额为16万亿韩元,是去年同期的2.3倍。最终损益为盈利4万亿韩元(去年同期为亏损2万亿韩元),作为2季度销售额创出6年来的新高。SK的HBM订单已经排到了2025年。

HBM是一种通过堆栈临时存储数据的DRAM来提高存储容量和数据传输速度的存储器。它作为AI计算中使用的图像处理半导体(GPU)的辅助角色,负责记录计算过程。GPU与HBM之间的数据交换速度越快,AI的性能就越高。

SK的最尖端产品「HBM3E」,每个输入输出端子(引脚数)的数据传输速度为8Gbps。据说每秒可以处理230多部全高清电影。

三星是全球最大的存储器厂商,在DRAM领域占据42.3%全球市占率。但在HBM领域,SK占据52.5%市占率,超过三星。

HBM的开发竞争围绕这两家公司展开。SK在2013年率先开发HBM,三星则从2015年开始正式开发。到2020年左右三星一度领先,但随着SK在2023年8月开发出最尖端产品「HBM3E」,SK实现反超并进一步拉开了差距。



三星被指「过度执着于半导体的微细化」(美国的半导体商社)。半导体的性能随着电路线宽微细化而提高。三星凭借强大的资金实力持续追求微细化,但尖端产品的电路线宽已达到10奈米级别,技术开发的难度增大。

另一方面,SK则从堆栈DRAM的方法中找到了出路。该公司还率先与材料厂商建立关系。SK与日本NAMICS(位于新潟市)等公司共同开发出了生产最尖端产品不可或缺的封装材料,并签订了独家供应合同。

SK目前正在与台积电共同开发新一代HBM产品,目标是2025年开始量产。据称,新一代产品的传输速度将提高4成。台积电正在为占据GPU市场9成的美国英伟达(NVIDIA)进行代工生产。SK通过与台积电合作,间接与英伟达强化关系。



三星在取得英伟达的最新AI半导体认证方面落后。美国摩根士丹利(Morgan Stanley)的Shawn Kim指出:「三星面临市占率下降的风险」。高盛的Giuni Lee预测称:「未来2~3年,SK将在尖端HBM产品领域保持超过50%的份额」。

为了挽回局面,三星更换了半导体部门的一把手。该公司打破了年底宣布高管人事安排的惯例,在2024年5月提前宣布了人事任命。试图通过不同寻常的人事安排来加强内部团结,同时三星也在与日本材料厂商积极建立关系。

HBM的更新换代速度很快。一般来说每更新一代产品,传输速度就会提高到1.5~2倍左右。因此,如果能抢在竞争对手前面推出尖端产品,就能在其他公司赶上之前获得利润。产品更新换代是扭转势力格局的良机。

精密堆栈微细半导体的技术难度越来越高,生产设备也越来越贵。SK将在截至2028年底的5年里进行103万亿韩元设备投资,其中8成将用于HBM的技术开发和量产。

三星也在提高HBM在总投资额中的占比。2024年把HBM供应量增加到上年的4倍,2025年将进一步增加到2倍。

乐天证券经济研究所的今中能夫指出:「自2024年下半年起,投资竞争将正式开始」。三星的总资产为497万亿韩元,是SK的1.5倍。有观点认为,三星拥有雄厚的资金实力,如果把资金运用到投资竞争中,三星将有望取胜。

HBM被认为已经开始开发未来2~3代的产品。美国美光科技也在寻找机会加入竞争。SK海力士能否保持领先地位?三星能否通过大规模投资迎头赶上呢?以韩国两家公司为中心的竞争将会持续下去。

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